Simulation method and apparatus for circuit model, computer device and storage medium

WO2023151132 Art A1 17. August 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023151132
Aktenzeichen: EP22925494
Anmeldetag: 24. Februar 2022
Veröffentlichung: 17. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G01K7/00H03B5/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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