Operation method for three-dimensional flash memory including ferroelectric-based data storage pattern and back gate

WO2023153670 Art A1 17. August 2023

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023153670
Aktenzeichen: EP23753021
Anmeldetag: 20. Januar 2023
Veröffentlichung: 17. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/10G11C16/08G11C11/22H10B43/27

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

358 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von