Balun Transformer With Enhanced Rf Coupling Embedded in High-Strength Dielectric Materials

WO2023154233 Art A1 17. August 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023154233
Aktenzeichen: EP23753345
Anmeldetag: 3. Februar 2023
Veröffentlichung: 17. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01F30/10H01F27/30H01J37/32H03H7/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von