Halide perovskite solar cell and bottom interface self-growth modification method therefor

WO2023155562 Art A1 24. August 2023

Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023155562
Aktenzeichen: EP22926865
Anmeldetag: 9. Dezember 2022
Veröffentlichung: 24. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10K30/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Shenzhen Institutes of Advanced Technology

Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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