Group 13 element nitride single crystal substrate, substrate for epitaxial growth layer formation, laminate, and epitaxial substrate for semiconductor device
WO2023157356
Art A1
24. August 2023
Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023157356
- Aktenzeichen
- EP22927250
- Anmeldetag
- 9. September 2022
- Veröffentlichung
- 24. August 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B19/02H01L21/20H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK INSULATORS, LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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