Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2023157972 Art A1 24. August 2023

Anmelder: FUJI ELECTRIC CO., LTD., NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023157972
Aktenzeichen: EP23756496
Anmeldetag: 20. Februar 2023
Veröffentlichung: 24. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: FUJI ELECTRIC CO., LTD.
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von