Integrated dipole region for transistor
WO2023158688
Art A1
24. August 2023
Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023158688
- Aktenzeichen
- EP23756844
- Anmeldetag
- 15. Februar 2023
- Veröffentlichung
- 24. August 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/66H01L29/78H01L29/51H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- APPLIED MATERIALS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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