Sleep control mode and sleep control circuit

WO2023159685 Art A1 31. August 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023159685
Aktenzeichen: EP22927964
Anmeldetag: 11. März 2022
Veröffentlichung: 31. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H04L12/40G06F11/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Nachrichtentechnik & Telekommunikation Software & Datenverarbeitung

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