Semiconductor structure and forming method therefor, and manufacturing method for dynamic random access memory

WO2023159967 Art A1 31. August 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2023159967
Aktenzeichen
EP22928230
Anmeldetag
10. Oktober 2022
Veröffentlichung
31. August 2023
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/768H01L23/538H10B12/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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