P-type laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor
WO2023160084
Art A1
31. August 2023
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023160084
- Aktenzeichen
- EP22928344
- Anmeldetag
- 30. November 2022
- Veröffentlichung
- 31. August 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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