Sputtering target, method for producing sputtering target, oxide semiconductor thin film, thin film semiconductor device and method for producing same

WO2023162849 Art A1 31. August 2023

Anmelder: ULVAC, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023162849
Aktenzeichen: EP23759850
Anmeldetag: 16. Februar 2023
Veröffentlichung: 31. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C04B35/01C23C14/08H01L21/336H01L21/363H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ULVAC, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 ULVAC

Japanisches Unternehmen mit Sitz in Chigasaki, spezialisiert auf Vakuumtechnik sowie Anlagen für die Halbleiter- und Displayfertigung.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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