Systems, compositions and methods for metal oxynitride deposition using high-base pressure reactive sputtering

WO2023163779 Art A2 31. August 2023

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023163779
Aktenzeichen: EP22929181
Anmeldetag: 30. November 2022
Veröffentlichung: 31. August 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01M4/131H01L31/048H01M4/04

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Anmelder

Firma: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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