Source/drain confined epitaxy method, device preparation method, device, and apparatus

WO2023164813 Art A1 7. September 2023

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023164813
Aktenzeichen: EP22929264
Anmeldetag: 1. März 2022
Veröffentlichung: 7. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/423H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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