Semiconductor Structure

WO2023165017 Art A1 7. September 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023165017
Aktenzeichen: EP22929454
Anmeldetag: 10. Mai 2022
Veröffentlichung: 7. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/498H01L23/538H01L23/367H01L25/065H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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