Channel etching method, semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

WO2023165341 Art A1 7. September 2023

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023165341
Aktenzeichen: EP23762742
Anmeldetag: 16. Februar 2023
Veröffentlichung: 7. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/10H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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