Method of attaching a terminal to a metal substrate structure for a semiconductor power module and semiconductor power module

WO2023166165 Art A1 7. September 2023

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023166165
Aktenzeichen: EP23707959
Anmeldetag: 3. März 2023
Veröffentlichung: 7. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/498H01L21/48H01L23/14H01L23/373

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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