Sputtering target, method for forming chalcogenide film, and memory device

WO2023167029 Art A1 7. September 2023

Anmelder: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023167029
Aktenzeichen: EP23763288
Anmeldetag: 20. Februar 2023
Veröffentlichung: 7. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/06C23C14/34H01L21/363H10B63/10H10N70/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sony Semiconductor Solutions

Japanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Atsugi, eine Tochtergesellschaft der Sony Group. Das Unternehmen entwickelt Bildsensoren, CMOS-Sensoren und Halbleiterlösungen für Kameras, Smartphones, Automobile und industrielle Anwendungen.

6.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von