Selective precision etching of semiconductor materials
WO2023168170
Art A1
7. September 2023
Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023168170
- Aktenzeichen
- EP23764024
- Anmeldetag
- 17. Februar 2023
- Veröffentlichung
- 7. September 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3213H01L21/67C09K13/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM RESEARCH CORPORATION
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
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