Semiconductor structure and manufacturing method therefor, and memory and manufacturing method therefor
WO2023168752
Art A1
14. September 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023168752
- Aktenzeichen
- EP22930387
- Anmeldetag
- 22. März 2022
- Veröffentlichung
- 14. September 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.