Semiconductor structure and preparation method therefor

WO2023168897 Art A1 14. September 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023168897
Aktenzeichen: EP22930526
Anmeldetag: 8. August 2022
Veröffentlichung: 14. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/336H10N50/01H01L23/538H10B61/00H01L29/78H10N50/80

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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