Sintered body, semiconductor substrate, and semiconductor device, and production methods therefor

WO2023171502 Art A1 14. September 2023

Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023171502
Aktenzeichen: EP23766678
Anmeldetag: 1. März 2023
Veröffentlichung: 14. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78C04B35/573C30B29/36H01L21/329H01L21/336H01L29/12H01L29/739H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ROHM CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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