Transistor devices with multi-layer interlayer dielectric structures
WO2023172578
Art A1
14. September 2023
Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023172578
- Aktenzeichen
- EP23767407
- Anmeldetag
- 7. März 2023
- Veröffentlichung
- 14. September 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786H01L29/66H10K59/121H10K59/124H10K59/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- APPLIED MATERIALS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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