Probe condition monitoring method, test system, computer device, and storage medium
WO2023173512
Art A1
21. September 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023173512
- Aktenzeichen
- EP22931540
- Anmeldetag
- 2. April 2022
- Veröffentlichung
- 21. September 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G01R31/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.