Ring oscillator and test method

WO2023173532 Art A1 21. September 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023173532
Aktenzeichen: EP22931559
Anmeldetag: 25. April 2022
Veröffentlichung: 21. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H03K3/03G01R31/28H03K3/354

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen