Voltage regulator and control method therefor

WO2023173595 Art A1 21. September 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023173595
Aktenzeichen: EP22931620
Anmeldetag: 31. Mai 2022
Veröffentlichung: 21. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G05F1/56G05F1/46G05F1/565H02M3/07G05F1/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Steuerungs- & Regelungstechnik

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