Enhanced gan-based hemt device, and manufacturing method therefor and use thereof

WO2023173836 Art A1 21. September 2023

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023173836
Aktenzeichen: EP22931845
Anmeldetag: 8. Dezember 2022
Veröffentlichung: 21. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/778H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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