Sidewall passivation using aldehyde or isocyanate chemistry for high aspect ratio etch

WO2023177594 Art A1 21. September 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023177594
Aktenzeichen: EP23771270
Anmeldetag: 10. März 2023
Veröffentlichung: 21. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/3065C23C16/04C23C16/50C23C16/52H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von