Atomic layer deposition device and method for preparing atomic layer deposition thin film

WO2023178650 Art A1 28. September 2023

Anmelder: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY, HUST-WUXI RESEARCH INSTITUTE 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023178650
Aktenzeichen: EP22932712
Anmeldetag: 25. März 2022
Veröffentlichung: 28. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
HUST-WUXI RESEARCH INSTITUTE
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huazhong University of Science and Technology

Die Huazhong University of Science and Technology ist eine chinesische Universität mit Sitz in Wuhan und breiter technischer sowie medizinischer Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Mess-, Prüf- und Zeitmesstechnik sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software und Medizintechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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