Skyrmion transistor and skyrmion transistor control method

WO2023178783 Art A1 28. September 2023

Anmelder: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023178783
Aktenzeichen: EP22932840
Anmeldetag: 20. April 2022
Veröffentlichung: 28. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/16

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

610 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von