Ferroelectric memory and forming method therefor, and electronic device

WO2023179394 Art A1 28. September 2023

Anmelder: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD., UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023179394
Aktenzeichen: EP23773642
Anmeldetag: 13. März 2023
Veröffentlichung: 28. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B53/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Huawei

Chinesisches Technologieunternehmen mit Sitz in Shenzhen. Entwickelt Telekommunikationsinfrastruktur, Netzwerktechnik, Smartphones und weitere Unterhaltungs- und Kommunikationselektronik.

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🇨🇳 University of Science and Technology of China

Die University of Science and Technology of China (USTC) ist eine chinesische Forschungsuniversität mit Sitz in Hefei. Das Patentportfolio verteilt sich breit auf Software und Datenverarbeitung, Nachrichtentechnik, Mess- und Prüftechnik sowie Halbleiter- und Medizintechnik. Anmeldungen reichen von 2000 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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