Semiconductor device and method for semiconductor device fabrication

WO2023180859 Art A1 28. September 2023

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023180859
Aktenzeichen: EP23774087
Anmeldetag: 13. März 2023
Veröffentlichung: 28. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00H01L21/336H01L21/768H01L21/8234H01L23/522H01L27/06H01L27/088H01L29/786H10B41/70

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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