Method for producing group iii nitride single crystal and substrate for group iii nitride single crystal growth

WO2023181601 Art A1 28. September 2023

Anmelder: TOKUYAMA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023181601
Aktenzeichen: EP23774202
Anmeldetag: 16. Januar 2023
Veröffentlichung: 28. September 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C30B25/20C30B29/38H01L21/20H01L21/365

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKUYAMA CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

1.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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