Exhaust structure and exhaust method for flow rate control device, and gas supply system and gas supply method comprising same
Anmelder: FUJIKIN INCORPORATED, TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023182105
- Aktenzeichen
- EP23774701
- Anmeldetag
- 15. März 2023
- Veröffentlichung
- 28. September 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G05D7/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- FUJIKIN INCORPORATED
TOKYO ELECTRON LIMITED - Land
- 🇯🇵 Japan
Der Anmelder ist ein japanischer Hersteller von Fluidsteuerungs- und Ventiltechnik für die Halbleiterfertigung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Maschinenelemente und Fluidtechnik sowie auf Steuerungs- und Regelungstechnik und Messtechnik. Anmeldungen laufen seit dem Jahr 2000 durchgehend fort.
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Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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