Resistive memory device and method of forming
WO2023183473
Art A1
28. September 2023
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023183473
- Aktenzeichen
- EP23775654
- Anmeldetag
- 23. März 2023
- Veröffentlichung
- 28. September 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H10N70/00H10B63/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOKYO ELECTRON LIMITED
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Fachgebiete
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