Heterojunction-based high-power-density tunneling semiconductor device and manufacturing process therefor
WO2023184812
Art A1
5. Oktober 2023
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023184812
- Aktenzeichen
- EP22934632
- Anmeldetag
- 3. August 2022
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/06H01L29/08H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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