Method for mitigating first wafer effect in high-temperature etching process
WO2023185544
Art A1
5. Oktober 2023
Anmelder: ACM RESEARCH (SHANGHAI), INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023185544
- Aktenzeichen
- EP23777917
- Anmeldetag
- 21. März 2023
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/67
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ACM RESEARCH (SHANGHAI), INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
ACM Research (Shanghai)
ACM Research (Shanghai) ist die chinesische Tochtergesellschaft des US-notierten Halbleiterausrüsters ACM Research mit Sitz in Shanghai, der Reinigungs- und Beschichtungsanlagen für die Chipfertigung herstellt. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie- und Verfahrenstechnik. Die Anmeldungen decken den Zeitraum von 2007 bis 2025 ab.
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