Aln Single Crystal Substrate

WO2023187882 Art A1 5. Oktober 2023

Anmelder: NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023187882
Aktenzeichen: EP22935037
Anmeldetag: 28. März 2022
Veröffentlichung: 5. Oktober 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK INSULATORS, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

4.049 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von