Semiconductor device
WO2023188867
Art A1
5. Oktober 2023
Anmelder: ROHM CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023188867
- Aktenzeichen
- EP23778901
- Anmeldetag
- 10. Februar 2023
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/872H01L21/329H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ROHM CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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