Sputtering target, method for producing sputtering target, oxide thin film, thin film transistor, and electronic device

WO2023189870 Art A1 5. Oktober 2023

Anmelder: IDEMITSU KOSAN CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023189870
Aktenzeichen: EP23779884
Anmeldetag: 22. März 2023
Veröffentlichung: 5. Oktober 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34C04B35/01H01L21/203H01L21/336H01L21/363H01L27/146H01L29/06H01L29/66H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

3.465 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von