Silicon-carbide (sic) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) with short circuit protection

WO2023193288 Art A1 12. Oktober 2023

Anmelder: HONG KONG APPLIED SCIENCE AND TECHNOLOGY RESEARCH 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023193288
Aktenzeichen: EP22936225
Anmeldetag: 13. April 2022
Veröffentlichung: 12. Oktober 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/78H01L29/808H01L27/02H01L27/07

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HONG KONG APPLIED SCIENCE AND TECHNOLOGY RESEARCH
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute

Das Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute (ASTRI) ist eine anwendungsorientierte Forschungseinrichtung in Hongkong. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Nachrichtentechnik sowie Halbleitertechnik, ergänzt durch Messtechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2007 bis 2024.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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