Method for growing large-area high-performance hole conductive tungsten diselenide single crystal on silicon-based insulating layer

WO2023193637 Art A1 12. Oktober 2023

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023193637
Aktenzeichen: EP23784201
Anmeldetag: 28. März 2023
Veröffentlichung: 12. Oktober 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/46C30B25/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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