Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

WO2023194244 Art A1 12. Oktober 2023

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023194244
Aktenzeichen: EP23715872
Anmeldetag: 31. März 2023
Veröffentlichung: 12. Oktober 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/06H01L29/08H01L29/10H01L29/40H01L29/66H01L29/739H01L29/78H01L29/423H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von