Design method and design device for integrated circuit, and computer-readable storage medium

WO2023197430 Art A1 19. Oktober 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023197430
Aktenzeichen: EP22937068
Anmeldetag: 8. Juni 2022
Veröffentlichung: 19. Oktober 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G06F30/392G06F30/398G06F115/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen