Method for producing semiconductor substrate and resist underlayer film forming composition

WO2023199881 Art A1 19. Oktober 2023

Anmelder: JSR CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023199881
Aktenzeichen: EP23788299
Anmeldetag: 10. April 2023
Veröffentlichung: 19. Oktober 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/11

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: JSR CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

2.270 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik

Vertreten von