Method for manufacturing impurity-doped semiconductor

WO2023199954 Art A1 19. Oktober 2023

Anmelder: RIKEN 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023199954
Aktenzeichen: EP23788372
Anmeldetag: 12. April 2023
Veröffentlichung: 19. Oktober 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/261C30B29/04C30B29/16C30B31/22H01L21/205H01L21/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: RIKEN
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 RIKEN

Japanische staatliche Forschungseinrichtung mit Sitz in Wako bei Tokio, aktiv in Physik, Chemie, Biologie und Ingenieurwissenschaften mit zahlreichen Forschungszentren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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