Inversion-Type Ferroelectric Capacitive Memory

WO2023204767 Art A1 26. Oktober 2023

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023204767
Aktenzeichen: EP23792288
Anmeldetag: 20. April 2023
Veröffentlichung: 26. Oktober 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B53/00H01L27/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 National University of Singapore

Staatliche Universität in Singapur, eine der größten und international bestbewerteten Hochschulen Asiens. Sie ist in Forschung und Lehre breit aufgestellt, mit starken Ingenieur- und Naturwissenschaftsfakultäten.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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