Dual-mode size inas/gaas quantum dot growth method, quantum dot, and quantum dot composition
WO2023206765
Art A1
2. November 2023
Anmelder: SOOCHOW UNIVERSITY 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023206765
- Aktenzeichen
- EP22939595
- Anmeldetag
- 24. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 2. November 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C09K11/74C09K11/02B82Y20/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOOCHOW UNIVERSITY
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Soochow University
Soochow University ist eine staatliche Universität in Suzhou, China, mit breitem Fächerspektrum einschließlich Materialwissenschaft und Chemie.
1.255 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Kein Vertreter erfasst.