Crystal, phase change memory, method for producing crystal, and method for producing phase change memory
WO2023210673
Art A1
2. November 2023
Anmelder: TOHOKU UNIVERSITY, UNIVERSITY OF TSUKUBA 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023210673
- Aktenzeichen
- EP23796413
- Anmeldetag
- 26. April 2023
- Veröffentlichung
- 2. November 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01G53/00H10B63/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- TOHOKU UNIVERSITY
UNIVERSITY OF TSUKUBA - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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