Semiconductor device

WO2023210837 Art A1 2. November 2023

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023210837
Aktenzeichen: EP23796569
Anmeldetag: 9. Juni 2023
Veröffentlichung: 2. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L21/822H01L21/8234H01L27/04H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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