Method to enhance etch rate and improve critical dimension of features and mask selectivity

WO2023211665 Art A1 2. November 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023211665
Aktenzeichen: EP23797010
Anmeldetag: 6. April 2023
Veröffentlichung: 2. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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